В старых версиях браузеров сайт может отображаться некорректно. Для оптимальной работы с сайтом рекомендуем воспользоваться современным браузером.
Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Дисциплина «Перспективные направления мировой и отечественной электроники» направлена на изучение аспирантами перспективных направлений развития современной микро- и наноэлектроники, а также на подготовку аспирантов к решению организационных, научных и технических задач по освоению и внедрению достижений современной микро- и наноэлектроники в процесс проектирования и конструктивно-технологической разработки отечественной электронной элементной базы, электронных и радиотехнических устройств и систем управления. Основными формами текущего контроля являются практические занятия и выполнение домашнего задания. По завершении освоения дисциплины сдается устный экзамен.
Цель освоения дисциплины
Целями освоения дисциплины «Перспективные направления мировой и отечественной электроники» является формирование у аспирантов знаний, умений и навыках о тенденциях и перспективных направлениях развития современной микро- и наноэлектроники, а также подготовка аспирантов к решению организационных, научных и технических задач по освоению и внедрению достижений современной микро- и наноэлектроники в процесс проектирования и конструктивно-технологической разработки отечественной электронной элементной базы, электронных и радио технических устройств, систем управления.
Планируемые результаты обучения
Знать методы разработки новых методов исследования, их применению в самостоятельной научно-исследовательской деятельности для решения конкретных исследовательских задач в области использования и проектирования перспективной электронной компонентной базы, электронных и радиотехнических устройств, в области управления в технических системах;
Уметь формулировать научные задачи в области управления в технических системах, применять для их решения методологии теоретических и экспериментальных научных исследований;
Уметь разрабатывать математические модели и методы системного анализа, управления, обработки и защиты информации;
Уметь внедрять полученные результаты в практическую деятельность;
Уметь оценивать эффективность технических средств, методов, алгоритмов и программ, обеспечивающих надежность, контроль и диагностику функционирования элементов и устройств вычислительной техники, средств связи и систем управления
Иметь навыки оценки эффективности технических средств, методов, алгоритмов и программ, обеспечивающих надежность, контроль и диагностику функционирования элементов и устройств вычислительной техники, средств связи и систем управления.
Содержание учебной дисциплины
Раздел 1. Основные тенденции современной микро- и наноэлектроники. Перспективные конструктивно-технологические решения.
Закон Мура. Перспективные конструктивно-технологические решения. Новые материалы. Роль САПР.
Раздел 2. Общая характеристика и классификация элементной базы современных СБИС и СнК.
Перспективные транзисторные структуры КМОП КНИ/КНС, 3D КМОП, FinFET, HEMT.
Раздел 3 Субмикронные и нанометровые КМОП СБИС для вычислительной техники и др. применений.
Структура СБИС микропроцессоров, памяти, логики.
Раздел 4. Аналого-цифровые СБИС и СнК систем телекоммуникаций и связи.
Классификация беспроводных систем связи и радарной техники. Однокристалльная БИС приёмо-передатчика MM-диапазона для устройств мобильной связи. Структуры смартфонов.
Раздел 5. Микромощные и низковольтные БИС и СнК для автономных применений, медицины и др.
Использование СнК для диагностики и мониторинга здоровья человека. СнК-беспроводный безбатарейный датчик.
Раздел 6. КМОП СБИС для экстремальных применений (авиакосмических, ядерных, военных и др.)
Влияние радиации и температуры в космических условиях. Радиационно-стойкие ИС. Высоко- и низкотемпературная электроника.
Раздел 7. Интеллектуальные силовые ИС и системы для автомобильной электроники, робототехники и др.
Структуры «разумной» силовой ИС управления мотором. Схемы сенсоров и защиты от перегрузок.
Раздел 8. Фоточувствительные СБИС систем фотоники, технического зрения, дистанционного зондирования Земли и др.
СБИС для фотоники и видеотехники. Структура оптоэлектронной ИС. Фотопиксели и диодные фотоприёмники.
Элементы контроля
Домашнее задание
Задание выдается каждому аспиранту индивидуально и представляет собой комплексное задание, охватывающее основные разделы курса. Домашнее задание выполняется в письменной форме.
Экзамен
В ходе освоения дисциплины формируются следующие компетенции: <b>ОПК-1, ОПК-2, ПК-3, ПК-4, ПК-5, ПК-6</b>
Базовые лекции по электронике. Т. 2: Твердотельная электроника, , 2009
Нанотехнологии в электронике, Боргардт, Н. И., 2005
Рекомендуемая дополнительная литература
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Ч.1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование, Королев, М. А., 2007
Преподаватели
Петросянц Константин Орестович
Харитонов Игорь Анатольевич
Программа дисциплины
Аннотация
Цель освоения дисциплины
Планируемые результаты обучения
Содержание учебной дисциплины
Элементы контроля
Промежуточная аттестация
Список литературы
Рекомендуемая основная литература
Рекомендуемая дополнительная литература